9月26日,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)總研)旗下的EDP公司宣布,公司已成功開發(fā)出一種高濃度硼的大尺寸金剛石襯底,并可立即提供產(chǎn)品。
注:EDP(イーディーピー)是由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)總研)創(chuàng)立的風(fēng)險(xiǎn)投資公司,專注于高性能材料和先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)。其主要產(chǎn)品包括高硼濃度金剛石基板和其他半導(dǎo)體材料,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、激光器和高功率應(yīng)用領(lǐng)域。EDP致力于推動金剛石半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,以滿足不斷增長的市場需求,并通過創(chuàng)新提高材料性能。
與SiC和GaN相比,金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)越的特性,全球范圍內(nèi)的設(shè)備開發(fā)正在推進(jìn)。在這樣的市場背景下,該公司于2023年8月推出了高濃度硼摻雜的金剛石、自支撐襯底的低電阻襯底以及在其上形成薄膜的外延生長襯底。然而,7mm×7mm的小尺寸難以滿足大功率控制的大型器件開發(fā)和在單一基板上制造多個(gè)設(shè)備的需求。
與碳化硅和氮化鎵相比,金剛石半導(dǎo)體具有更優(yōu)越的特性,全世界都在推動相關(guān)器件的開發(fā);谶@一市場背景,該公司于2023 年 8月推出了摻有高濃度硼的金剛石和外延生長基板,在獨(dú)立的低電阻基板和普通基板上形成了薄膜,但形狀較小,只有7 毫米 x7 毫米,因此難以開發(fā)控制高功率的大型器件,也難以在一個(gè)基板上開發(fā)多個(gè)器件。
因此,在2023年11月,該公司開發(fā)了15mm×15mm的單晶,開始作為籽晶和基板進(jìn)行銷售。這次他們利用該單晶擴(kuò)大了低電阻基板的面積,并成功實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化。新產(chǎn)品基本特性與2023年8月商業(yè)化的低電阻金剛石基板相同,硼含量為2~4×1020/cm3。基板邊長2~13mm,可制作圓形晶圓,因此可生產(chǎn)直徑為12.5mm的晶圓。
該公司稱將繼續(xù)致力于進(jìn)一步增大單晶體的尺寸,還將致力于增大與大型單晶體相連的鑲嵌晶片的尺寸。此外,隨著設(shè)備開發(fā)的進(jìn)展,預(yù)計(jì)將需要具有各種外延薄膜的襯底,公司將擴(kuò)大外延襯底的范圍,并開發(fā)可促進(jìn)量子設(shè)備開發(fā)的襯底。
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