中國(guó)已采取措施，頒布一項(xiàng)于10 月 1 日生效的法規(guī)，以維護(hù)其對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的稀土材料的國(guó)有化。中國(guó)對(duì)鎵的供應(yīng)占全球一大部分，氮化鎵(GaN) 等寬帶隙半導(dǎo)體材料用于生產(chǎn)先進(jìn)的電源芯片和射頻放大器。

據(jù)外媒報(bào)道，為應(yīng)對(duì)中國(guó)的出口限制，美國(guó)國(guó)防部*研究計(jì)劃局(DARPA) 已要求雷神公司開(kāi)發(fā)不依賴中國(guó)控制材料的新型半導(dǎo)體，開(kāi)發(fā)合成金剛石和氮化鋁(AIN) 半導(dǎo)體。GaN 是高功率和高頻半導(dǎo)體的*材料，帶隙為 3.4 eV，而人造金剛石的帶隙約為 5.5 eV，有潛力超越GaN。然而，人造金剛石仍是一種新興的半導(dǎo)體材料，大規(guī)模生產(chǎn)仍面臨許多挑戰(zhàn)，氮化鋁的帶隙更寬，約為6.2 eV。雷神公司旨在為當(dāng)前和下一代雷達(dá)和通信系統(tǒng)開(kāi)發(fā)金剛石和氮化鋁半導(dǎo)體，包括可集成到高速武器系統(tǒng)中的射頻開(kāi)關(guān)、限幅器和放大器，然而，雷神公司尚未開(kāi)發(fā)出合適的半導(dǎo)體。

根據(jù)雷神公司的新聞稿，在合同的*階段，雷神先進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將開(kāi)發(fā)金剛石和氮化鋁半導(dǎo)體薄膜并將其集成到電子設(shè)備上，第二階段將專注于優(yōu)化和完善金剛石和氮化鋁技術(shù)，使其能夠應(yīng)用于更大直徑的晶圓，以用于傳感器應(yīng)用。

雷神公司先進(jìn)技術(shù)總裁Colin Whelan 在新聞稿中表示：“這是向前邁出的重要一步，將再次徹底改變半導(dǎo)體技術(shù)。”他強(qiáng)調(diào)說(shuō)：“雷神公司在為國(guó)防部系統(tǒng)開(kāi)發(fā)類似材料（如砷化鎵和氮化鎵）方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)利用這一開(kāi)創(chuàng)性的歷史和我們?cè)谙冗M(jìn)微電子領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)，我們將努力推動(dòng)這些材料在未來(lái)的應(yīng)用�！�