據(jù)交大新聞網(wǎng)1月5日報道,西安交大王宏興教授團隊采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù),成功實現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底的批量化制備。
金剛石擁有眾多優(yōu)異性能,采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件,克服器件的“自熱效應(yīng)”和“雪崩擊穿”等技術(shù)瓶頸,在5G/6G通信,微波/毫米波集成電路、探測與傳感等領(lǐng)域發(fā)展起到重要作用。
王宏興教授擔任西安交大寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究中心實驗室主任,具有自主知識產(chǎn)權(quán)的金剛石半導(dǎo)體外延設(shè)備研發(fā)、單晶/多晶襯底生長、電子器件研制等系列技術(shù),已獲授權(quán)48項專利。與國內(nèi)相關(guān)大型通信公司,中國電科相關(guān)研究所等開展金剛石半導(dǎo)體材料與器件的廣泛合作,促進了金剛石射頻功率電子器件、電力電子器件、MEMS等器件的實用性發(fā)展。
本次科研團隊通過對成膜均勻性、溫場及流場的有效調(diào)控,提高了異質(zhì)外延單晶金剛石成品率。襯底表面具有臺階流(step-flow)生長模式,可降低襯底的缺陷密度,提高晶體質(zhì)量,達到世界*水平。
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