金剛石散熱技術(shù)*資本市場(chǎng)變革,推動(dòng)電子產(chǎn)品發(fā)展進(jìn)入新階段
時(shí)間:2024-1-4
來(lái)源:和訊網(wǎng)
根據(jù)*近的機(jī)構(gòu)研究和專(zhuān)家解讀,為您總結(jié)近期的全球財(cái)經(jīng)要聞,供參考:
事件概括:
日本的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)在電子材料領(lǐng)域取得了創(chuàng)新性的進(jìn)展,他們利用金剛石這一導(dǎo)熱性極高的天然材料作為襯底,成功地制作出了氮化鎵(GaN)晶體管。這種新型晶體管的散熱能力是傳統(tǒng)晶體管的兩倍以上。由于其優(yōu)異的性能,這種晶體管適用于多個(gè)領(lǐng)域,包括5G通信基站、氣象雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波加熱和等離子體處理等。研究成果已在科學(xué)雜志“Small”上發(fā)表。此項(xiàng)技術(shù)通過(guò)在GaN和金剛石之間集成了一層立方碳化硅(3C-SiC)層,以*大化利用金剛石的導(dǎo)熱特性,顯著降低了界面熱阻并提升了散熱性能。
事件解讀:
隨著電子設(shè)備向高功率密度和小型化發(fā)展,散熱問(wèn)題成為制約性能、可靠性和壽命的關(guān)鍵因素。氮化鎵(GaN)和金剛石作為下一代半導(dǎo)體材料,都具備寬帶隙特性,能夠?qū)崿F(xiàn)高導(dǎo)電性和*散熱性。大阪公立大學(xué)的研究小組通過(guò)創(chuàng)新方法克服了之前在GaN與金剛石結(jié)合過(guò)程中所遇到的導(dǎo)熱性干擾問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了雙方優(yōu)勢(shì)的*結(jié)合。這一突破意味著在電力和射頻電子產(chǎn)品領(lǐng)域,未來(lái)可能通過(guò)優(yōu)化熱管理大幅降低能耗和二氧化碳排放,從而推動(dòng)這些電子產(chǎn)品的發(fā)展進(jìn)入新的階段。
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