集微網(wǎng)消息,研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前發(fā)布預(yù)測,指出ALD/CVD薄膜沉積工藝所必需的前驅(qū)體材料市場將持續(xù)高速增長,金屬前驅(qū)體的5年復(fù)合年增長率將達(dá)到7%,高介電常數(shù)(High-K)前驅(qū)體為5%,介質(zhì)前驅(qū)體市場為8%。
該機(jī)構(gòu)指出,前驅(qū)體材料增長受到ALD和CVD工藝新材料日益增長的興趣和需求的影響,器件生產(chǎn)商不斷尋找旨在提高成本和性能的新制造解決方案,而ALD/CVD解決方案處于此類努力的*前沿。
該機(jī)構(gòu)特別談到,鎢的使用很大程度上受到3D NAND垂直縮放和所有細(xì)分市場晶圓投片數(shù)量增加的推動。六氟化鎢WF6供需預(yù)計將在2023年保持平衡,但預(yù)計WF6的供應(yīng)到2025年將受到限制,并在2026年面臨短缺威脅。如果鉬(Mo)固體前驅(qū)體開始取代WF6并從研發(fā)轉(zhuǎn)向大規(guī)模生產(chǎn),可能會緩解潛在的短缺問題。不過Mo的應(yīng)用前景仍不確定,因為晶圓廠需要看到等于或優(yōu)于WF6的成本和性能。
該機(jī)構(gòu)還指出,改進(jìn)器件的技術(shù)變革的其他關(guān)鍵領(lǐng)域包括晶體管的新材料,例如高κ柵極電介質(zhì)、金屬柵電極、溝道和溝道材料的應(yīng)變/應(yīng)力外延、存儲單元和高κ電容器、互連布線、勢壘、種子層、覆蓋層、絕緣體和光刻。新出現(xiàn)的挑戰(zhàn)是由材料(例如,Hf、Zr、La、Co、Ru、Mo)和工藝(例如,ALD和等離子體輔助方法)解決的持續(xù)尺寸縮放帶來的。
本站部分文章系轉(zhuǎn)載,不代表中國硬質(zhì)合金商務(wù)網(wǎng)的觀點。中國硬質(zhì)合金商務(wù)網(wǎng)對其文字、圖片與其他內(nèi)容的真實性、及時性、完整性和準(zhǔn)確性以及其權(quán)利屬性均不作任何保證和承諾,請讀者和相關(guān)方自行核實。據(jù)此投資,風(fēng)險自擔(dān)。如稿件版權(quán)單位或個人不愿在本網(wǎng)發(fā)布,請在兩周內(nèi)來電或來函與本網(wǎng)聯(lián)系。